本文摘要：横向地下通道填满金属系3DNANDFlash朝64层以上横向填充发展的关键课题之一，原子层沉积(AtomicLayerDeposition；ALD)制程可于高深宽比(HighAspectRatio)横向地下通道中，大面积构成均匀分布性薄膜，且不具备较好的阶梯覆盖性(StepCoverage)，故限于于更加多层3DNANDFlash横向地下通道填满金属，然其不存在沉积速度较快及所需材料成本较高等问题。

横向地下通道填满金属系3DNANDFlash朝64层以上横向填充发展的关键课题之一，原子层沉积(AtomicLayerDeposition；ALD)制程可于高深宽比(HighAspectRatio)横向地下通道中，大面积构成均匀分布性薄膜，且不具备较好的阶梯覆盖性(StepCoverage)，故限于于更加多层3DNANDFlash横向地下通道填满金属，然其不存在沉积速度较快及所需材料成本较高等问题。ALD系化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition；CVD)的一种，与另一CVD技术电浆辅助化学气相沉积(Plasma-EnhancedCVD；PECVD)互为较，ALD使用依序流经第一种与第二种前驱物(Precursor)作为反应气体的方式，来蒸镀薄膜，此不同于PECVD运用电浆的蒸镀技术，同时蒸镀两种以上前驱物展开化学反应。仔细观察ALD的优点，其可精确掌控膜薄，以原子级精准度构成大面积的均匀分布薄膜，且适合于在凹凸结构蒸镀阶梯覆盖性欠佳的薄膜，反观PECVD则容易在凹凸结构或深孔图样达成协议厚度完全一致的薄膜，故ALD制程有望沦为64层以上3DNANDFlash横向地下通道填满金属的解决方案。

不过，ALD因依序流经反应气体以蒸镀薄膜，其沉积速度较PECVD快，比较须要较长制程时间，且ALD所需前驱物数量较多，不易使沉积成本增加。3DNANDFlash朝64层以上发展，需于沉积与转印面改进薄膜沉积、横向跨越地下通道、地下通道填满金属等制程，其中，薄膜沉积制程时间缩短，横向跨越地下通道需改采行成本较高的干式转印技术，而地下通道填满金属所需ALD制程亦不存在制程时间与成本增加等问题，使得如何因应成本上升将出3DNANDFlash发展更加多层技术的最重要课题。

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